Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

Thumbnail Image

Date

2011-05-09

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Pontificia Universidad Católica del Perú

Abstract

El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares.

Description

Keywords

Biosensores, Detectores químicos, Semiconductores, SPICE (Programas para computadoras), Transistores de efecto de campo

Citation

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Creative Commons license

Except where otherwised noted, this item's license is described as Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perú