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dc.contributor.authorPrado Saldaña, Víctor Zacaríases_ES
dc.date.accessioned2011-05-09T07:23:26Zes_ES
dc.date.available2011-05-09T07:23:26Zes_ES
dc.date.created2008es_ES
dc.date.issued2011-05-09es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12404/225es_ES
dc.description.abstractEl objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares.es_ES
dc.description.uriTesises_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherPontificia Universidad Católica del Perúes_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perúes_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_ES
dc.sourcePontificia Universidad Católica del Perúes_ES
dc.sourceRepositorio de Tesis - PUCPes_ES
dc.subjectBiosensoreses_ES
dc.subjectDetectores químicoses_ES
dc.subjectSemiconductoreses_ES
dc.subjectSPICE (Programas para computadoras)es_ES
dc.subjectTransistores de efecto de campoes_ES
dc.titleAnálisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETSes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_ES
thesis.degree.nameIngeniero Electrónicoes_ES
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_ES
thesis.degree.grantorPontificia Universidad Católica del Perú. Facultad de Ciencias e Ingenieríaes_ES
thesis.degree.disciplineIngeniería Electrónicaes_ES


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