Browsing by Author "Weingärtner, Roland"
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Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes
Pretell Valero, Luis Jonathan (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2017-05-25)Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A ... -
Degradación de las propiedades ópticas de películas semiconductoras amorfas de nitruro de silicio a-SiN producidas por pulverización catódica de radiofrecuencia
Zegarra Sierra, Katia (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2015-07-13)En el presente trabajo se encuentran compilados el estudio de propiedades ópticas y vibracionales de películas delgadas amorfas de nitruro de silicio depositadas bajo diferentes presiones de trabajo. Las películas han sido ... -
Determinación de las constantes ópticas y el espesor de películas delgadas semiconductoras depositadas por pulverización catódica de radio frecuencia sobre substratos ligeramente abosorbentes en la región visibles
Tucto Salinas, Karem Yoli (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2013-02-05)En este trabajo se describe el método de Swanepoel (1983) [1] y el método propuesto por Guerra J A (2010) [2] para caracterizar películas delgadas usando sólo el espectro de transmitancia óptica. La película es caracterizada ... -
Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering
Guerra Torres, Jorge Andrés (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2016-06-21)Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, ... -
Estudio de la superficie de Si (111) 7×7 mediante microscopía de efecto túnel
Serkovic Loli, Laura Natalia (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2011-06-14)El objetivo de este trabajo es estudiar la superficie de silicio orientada en la dirección (111) y preparada en la reconstrucción 7x7 en condiciones de ultra alto vacío (a una presión del orden de 10-10Torr). La idea es ... -
Implementación de un sistema de medición de resistividad eléctrica de películas delgadas semiconductoras de bajas temperaturas
Llontop López-Dávalos, Paul David (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2017-05-25)Un sistema de medición de resistividad eléctrica de películas delgadas a bajas temperaturas fue implementado empleando un sistema criogénico de ciclo cerrado de helio, un sistema de control de temperatura y un sistema de ... -
Implementación de un sistema de medición de resistividad eléctrica en películas delgadas semiconductoras por el método de Van der Pauw
Conde Mendoza, Luis Angel (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2017-05-25)La resistividad eléctrica es una propiedad física intrínseca e independiente del tamaño o forma de un material, que nos da información acerca de cómo se comporta el material al paso de la corriente eléctrica. Por el valor ... -
Optical characterization and thermal activation of Tb doped amorphous SiC, AlN and SiN thin films
Guerra Torres, Jorge Andrés (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2017-08-10)En la presente tesis se evalúan las propiedades ópticas y las características de emisión de luz de películas delgadas amorfas de AlN, SiN y SiC:H dopadas con Tb. La caracterización óptica se centra en la determinación del ... -
Optical system to observe an measure the spectra of a light emitting substrate and plasma in a RF magnetron
Andreas Lich, Julian (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2017-09-06)To obtain spectra of a light emitting substrate during the deposition of Terbium (Tb) doped thin films by RF magnetron sputtering, an optomechanical device is developed, constructed and tested. The device is required ... -
Structural, luminescence and Judd-Ofelt analysis to study the influence of post-annealing treatment on the AIN:Tb thin films prepared by radiofrequency magnetron sputtering
Tucto Salinas, Karem Yoli (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2016-06-20)This thesis investigates the effects of the annealing treatments on the spontaneous emission, radiative lifetime, composition and structure of terbium doped aluminum nitride films deposited on silicon substrates by radio ... -
Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
Montañez Huamán, Liz Margarita (Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2016-06-20)In this work, stoichiometric, structural and light emission properties of amorphous wide bandgap semiconductor materials doped with terbium are presented. The amorphous nature of the thin films was confirmed by X-ray ...